EN 62374-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC62374-1-2010).德文版本EN62374-1-2010+AC-2011
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时间:2024-05-17 18:15:43
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【英文标准名称】:Semiconductordevices-Part1:Time-dependentdielectricbreakdown(TDDB)testforinter-metallayers(IEC62374-1:2010);GermanversionEN62374-1:2010+AC:2011
【原文标准名称】:半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC62374-1-2010).德文版本EN62374-1-2010+AC-2011
【标准号】:EN62374-1-2011
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2011-06
【实施或试行日期】:2011-06-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;组件;定义(术语);介质;电介质击穿;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;层;寿命;半导体器件;应力;试验;试验装置;时间依赖;电压;电压应力
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definitions;Dielectric;Dielectricbreakdown;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Layers;Life(durability);Semiconductordevices;Stress;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:18P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC62374-1-2010).德文版本EN62374-1-2010+AC-2011
【标准号】:EN62374-1-2011
【标准状态】:现行
【国别】:
【发布日期】:2011-06
【实施或试行日期】:2011-06-01
【发布单位】:欧洲标准学会(EN)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:检验设备;组件;定义(术语);介质;电介质击穿;电气工程;电子设备及元件;外壳;故障;大门;热室;层;寿命;半导体器件;应力;试验;试验装置;时间依赖;电压;电压应力
【英文主题词】:Checkingequipment;Components;Definitions;Dielectric;Dielectricbreakdown;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Layers;Life(durability);Semiconductordevices;Stress;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:18P;A4
【正文语种】:英语
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