ASTM F 867M-1994 半导体器件电离辐射效应(总剂量)试验的标准导则(米制)
作者:标准资料网
时间:2024-05-23 01:08:43
浏览:8984
来源:标准资料网
下载地址: 点击此处下载
【英文标准名称】:StandardGuideforIonizingRadiationEffects(TotalDose)TestingofSemiconductorDevicesMetric
【原文标准名称】:半导体器件电离辐射效应(总剂量)试验的标准导则(米制)
【标准号】:ASTMF867M-1994
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1994
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:辐射;放射性照射;γ辐射;导则;钴;电离辐射;半导体器件;电子元部件;硬度试验;硬度试验;电子硬度;总剂量测试;硅半导体;电离辐射效应总剂量测试;半导体的辐射;反弹;时间所产生的效应;剂量为60的X光线照射;器件;退火
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:17_240
【页数】:
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:半导体器件电离辐射效应(总剂量)试验的标准导则(米制)
【标准号】:ASTMF867M-1994
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1994
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:辐射;放射性照射;γ辐射;导则;钴;电离辐射;半导体器件;电子元部件;硬度试验;硬度试验;电子硬度;总剂量测试;硅半导体;电离辐射效应总剂量测试;半导体的辐射;反弹;时间所产生的效应;剂量为60的X光线照射;器件;退火
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:17_240
【页数】:
【正文语种】:英语
下载地址:
点击此处下载